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6.772 复合半导体器件,2003年春

Silicon nanocrystal.
计算得到的硅纳米晶体价电子密度 (图片由Quantum Simulations Laboratory, North Carolina State University 北卡罗来纳州立大学的量子模拟实验室Zack Helms 赞助, 模拟结果由国家超级技术中心的计算机完成。图片由国家自然科学基金图书馆提供)

课程亮点

本站点提供课程完整的课件和学生期末论文选题.

课程提要

本课程概述了用于电子、光电子和光子器件及集成电路中的复合半导体(主要是III-V族)的物理,建模、应用和制造技术。课题包括了复合半导体的性质和制造工艺,异质结的理论和实践,量子结构和假晶应变层,金属-半导体场效应管; 异质结场效应管 (HFETs) and 双极性管 (HBTs); 光敏二极管, 垂直腔和平面内腔激光二极管和其他光电器件。


技术要求

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教师

小克里夫顿 佛思特德 教授
上课时间

讲课:
每周两次
每次1.5小时

复习时间:

每周一次
每次1小时

程度
研究生
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